掺杂性

基本属性

• 拼音字母can za xing
• 拼音首字母czx
• 注音符号ㄘㄢ ㄗㄚ ㄒㄧㄥ

扩展释义

【英：Doping】硅（或锗）的导电性会因为在纯净半导体材料中加入杂质而明显增强。这个掺杂过程是使载流子（电子或空穴）的数量增加，从而增强了导电性、减小了阻碍性。杂质的两种类型分别是N型和P型。